商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 晶体管类型 | - | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | - | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 10kΩ | |
| 电阻比率 | - | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA |
商品特性
- 采用UMT或SMT封装的两个DTC114T芯片。
- 可使用UMT3或SMT3自动贴装机进行贴装。
- 晶体管元件相互独立,消除干扰。
- 贴装成本和面积可减半。
应用领域
逆变器、接口、驱动器
- SIT8208AC-GF-25E-7.372800Y
- MLX90371GVS-BCC-100-RE
- RSSD25138A1R50KB00
- ADGM1002BCCZ
- SDURF30Q60
- CA50C3844GLT
- DF51K-6P-2DS(805)
- SG-8018CB 35.4690M-TJHPA0
- QSCT251Q200F1GV001E
- RCS2012F2940CS
- TEM-120-02-03.0-FG-D-L1
- GCM2195C1J912GA16J
- MHR-40-HUAL
- RD9M1S50TS
- BYT54A-TAP
- TFM-115-12-SM-D-A-P-TR
- FD4000128
- LM5069EVAL/NOPB
- SG-8018CE 50.1967M-TJHSA0
- GCM2165G2A331GA16D
- L130-5090003000W24


