NTE5512
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 400V | |
| 通态电流(It) | 5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电流(Igt) | 15mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 2V | |
| 保持电流(Ih) | 20mA | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ |
商品概述
NTE5511至NTE5513全扩散、三结硅可控整流器（SCR）适用于功率控制和功率开关应用。这些器件采用TO66型封装，在外壳温度为+75℃时，阻断电压能力高达600V，正向电流额定值为5A（均方根值）。
商品特性
- 专为高容量系统设计
- 易于适配印刷电路板和金属散热器
- 低开关损耗
- 高di/dt和dv/dt能力
- 发射极短路的栅极 - 阴极结构
- 正向和反向栅极耗散额定值
- 全扩散结构确保特性具有出色的均匀性和稳定性
- 直接焊接的内部结构确保具有出色的抗疲劳性
- 对称的栅极 - 阴极结构提供均匀的电流密度、快速的导电性能和高效的散热性能
- 全焊接结构和密封封装
- 正向和反向漏电流低
- 在高电流水平下正向电压降小
- 低热阻
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