- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VS-ENV020M120M
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 87W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | - | |
| 集电极电流(Ic) | - | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | - | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
由于采用了压配引脚，EMIPAK 1B 封装易于使用。外露的基板可提高热性能。优化的布局还有助于最小化杂散参数，从而实现更好的 EMI 性能。
商品特性
- MOAT 标准恢复二极管
- 外露的氧化铝（Al₂O₃）基板，具有低热阻，符合 RoHS 标准
- 极低的正向压降
- 低内部电感
- 以 AQG324 指南为参考进行鉴定
- 压配引脚锁定技术
- 材料分类：有关合规性定义，请参考相关文档
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