商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W;800mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 40;36 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 8V |
商品概述
本规格涵盖了NPN型硅中功率晶体管的性能要求,适用于封装器件提供一种产品保证级别(JAN)。器件封装外形为TO - 205AA(原改进型TO - 5,无后缀S)或TO - 205AD(原改进型TO - 39,有后缀S)。除非另有规定,环境温度TA = +25°C。对于TA > +25°C,线性降额4.6 mW/°C;对于Tc > +25°C,线性降额23 mW/°C。引脚编号符合MIL - PRF - 19500及相关规定。
商品特性
- 适用于NPN型硅中功率晶体管
- 提供JAN产品保证级别
- 封装有TO - 205AA或TO - 205AD可选
- 不同温度条件下有线性降额要求
- 3146-2-00-21-00-00-08-0
- 3QHM572D2.0-8.000
- ES0800/10DSFB
- MS27511B8A
- M39029/31-228
- SIT1602BC-32-XXE-7.372800
- SIT8008AI-73-33E-22.857140
- 21_H4-50-3-1/133_NE
- SIT8208AI-22-25E-24.576000
- 0936060254
- 1N3737R
- DDMN43X2PNK87
- MLX92211LUA-AEA-000-BU
- MS27511B24NL
- 660-009ZR18G4-01-216
- GPB553A2L01BR
- 3123-1-00-80-00-00-08-0
- 3352H-1-253LF
- 14310617106000
- SIT1602BC-21-XXN-33.333000
- RB-S22Q53XTB48


