VOS617A-8T
光电耦合器,光电晶体管输出,SSOP - 4,半间距,迷你扁平封装
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- VOS617A-8T
- 商品编号
- C17433132
- 商品封装
- SOIC-4-175mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.18V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 3.75kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 80V | |
| 输出通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@5mA,2.5mA | |
| 上升时间(tr) | 3us | |
| 下降时间 | 3us | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 130% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 260% | |
| 总功耗(Pd) | 170mW | |
| 正向电流(If) | 50mA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
VOS617A系列包含一个砷化镓(GaAs)红外发射二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用4引脚、引脚间距为50 mil的迷你扁平封装。 该系列产品的特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。 这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
商品特性
- 低输入电流下具有高电流传输比(CTR)
- 薄型封装(半间距)
- 高集电极 - 发射极电压,VCEO = 80 V
- 隔离测试电压:= 3750 VRMS
- 低耦合电容
- 高共模瞬态抗扰度
应用领域
- 电信
- 工业控制
- 电池供电设备
- 办公设备
- 可编程控制器
- HPC 5040NV-3R3M
- CMB1840-0000-000N0Z0A30H
- RSSD25168C10R0JB00
- SIT8208AC-3F-28E-72.000000X
- HDL6M05586
- BPRR00101041680T00
- SIT8208AC-2F-25S-7.372800Y
- SG-8018CB 16.0000M-TJHSA0
- BPSC000505201R5TS0
- IXXN200N60B3
- SI8231AD-D-ISR
- 104477-6
- CSMW-LWG0-NR0HE
- SG-8018CA 150.060024M-TJHPA0
- XTEAWT-00-0000-00000BGF4
- XTEAWT-00-0000-000000KE5
- EHT-107-01-S-D-SM-TR
- SG-8018CB 59.497670M-TJHPA0
- CMU1013-0000-000N0U0A40G
- 1-2308298-4
- MHBAWT-0000-000F0UC465E


