- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FS200R10W3S7B11BPSA1
FS200R10W3S7B11BPSA1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FS200R10W3S7B11BPSA1
- 商品编号
- C17432205
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | IGBT模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 20mW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 950V | |
| 集电极电流(Ic) | 130A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 300A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.69V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 460nC@600V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 13nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 40pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 120ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 290ns | |
| 导通损耗(Eon) | 10.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.88mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 电气特性 - VCES = 950 V
- ΔIc,nom = 200 A / ICRM = 300 A - 低VCE,sat
- Tvj,op = 150℃
- TRENCHSTOP IGBT7
- 机械特性 - 具有低热阻的Al₂O₃基板
- 高功率和热循环能力
- 集成NTC温度传感器
- PressFIT接触技术
应用领域
电机驱动、储能系统、辅助逆变器
- PGA2500EVMV2
- 16-680-190T
- 5745132-2
- 155224-2200-RB
- AMPMGFB-50.0000T3
- MLEAWT-H1-0000-0000F8
- VBO72-08NO7
- MKRAWT-00-0000-0B0BH20E4
- XREWHT-L1-R250-00AE3
- SG-8018CA 19.9500M-TJHPA0
- GCM188R91H332KA37J
- UMF23NTR
- SG-8018CA 23.5920M-TJHSA0
- EMD53T2R
- BPSD00100965202M00
- TST-107-05-S-D-RA
- 1-1586768-6
- GCM3195G1H432JA16D
- 20-600-LPI
- RBS101-TEMP-NOP-RCZ2
- SG-8018CB 63.8880M-TJHSA0