AS5F14G04SND-10LIN

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描述: Alliance Memory的AS5F14G04SND-10LIN是一款SPI接口的NAND Flash存储器，支持单级单元(SLC)，具有OTP保护功能。工作电压为1.8V，支持最高100MHz的时钟频率。
品牌名称: Alliance Memory
商品型号: AS5F14G04SND-10LIN
商品编号: C17429803
商品封装: LGA-8(6x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.603克(g)

商品参数

	属性	参数值
	页写入时间(Tpp)	600us
	块擦除时间(tBE)	3ms
	数据保留 - TDR(年)	10年
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；软件复位功能；写使能锁存

SPI（串行外设接口）NAND为高密度非易失性存储器存储解决方案中的替代SPI-NOR提供了一种低成本、低引脚数的解决方案。

单级单元（SLC）NAND闪存
工作电压支持：VCC为3.3V（3.0V至3.6V）；VCC为1.8V（1.7V至1.98V）
时钟频率：VCC为3.3V时最高可达120MHz；VCC为1.8V时最高可达100MHz
标准、双和四SPI：标准SPI包括SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#；双SPI包括SCLK、CS#、SIO0、SIO1、WP#、HOLD#；四SPI包括SCLK、CS#、SIO0、SIO1、SIO2、SIO3
ECC保护：每512字节 + 32字节采用8位ECC；每512字节 + 16字节采用4位ECC
封装（无铅无卤）：8引脚LGA - 8（8×6×0.8mm）
OTP保护：64页一次性可编程
性能（典型值）：页编程时间为600μs；页大小为2K时页读取时间为70μs；页大小为4K时页读取时间为140μs；块擦除时间为3ms
工作电流：读取操作电流为25mA；编程操作电流为25mA；擦除操作电流为30mA；最大待机电流为120μA
耐久性：P/E循环次数超过60,000次/循环
数据保留：10年
温度：工作温度为 -40℃至 +85℃；存储温度为 -65℃至 +150℃