PJS6809_S1_00001

ALD810020/ALD910020 是 ALD8100xx（四通道）和 ALD9100xx（双通道）超级电容器自动平衡 MOSFET（即 SAB™ MOSFET）系列的成员。SAB MOSFET 采用经过生产验证的 EPAD® 技术制造，旨在解决串联连接的超级电容器的电压和漏电流平衡问题。超级电容器，也称为 ultracapacitors 或 supercaps，通过在每个超级电容器组两端连接一个或多个器件的组合来平衡漏电流，以防止过压。

ALD810020 为四个 SAB MOSFET 器件中的每一个提供了一组独特、精确的工作电压和电流特性。它可用于平衡多达四个串联连接的超级电容器。ALD910020 为其两个 SAB MOSFET 器件中的每一个都有自己独特的精确工作电气特性，适用于多达两个串联连接的超级电容器。

每个 SAB MOSFET 在 Vt 模式下具有精确的栅极阈值电压，当栅 - 漏源极端子（VGS = VDS）在漏源电流 IDS(ON) = 1μA 时连接在一起时，该电压为 2.00V。在这种模式下，输入电压 VIN = VGS = VDS。不同的 VIN 会产生输出电流 IOUT = IDS(ON) 特性，并形成一个有效可变电阻，其阻值随 VIN 呈指数变化。当这个 VIN 施加到串联的每个超级电容器两端时，可将每个超级电容器的电压和电流平衡在其限制范围内。

当向 ALD810020/ALD910020 施加 VIN = 2.00V 时，其 IOUT 为 1μA。VIN 增加 100mV 至 2.10V 时，IOUT 大约增加 10 倍。对于 ALD910020，VIN 进一步增加到 2.22V（ALD810020 为 2.24V）时，IOUT 增加 100 倍，达到 100μA。相反，VIN 降低 100mV 至 1.90V 时，IOUT 降至先前值的十分之一，即 0.1μA。输入电压再降低 100mV，IOUT 将降至 0.01μA。因此，当将 ALD810020/ALD910020 SAB MOSFET 连接到充电至低于 1.80V 的超级电容器两端时，它基本上不消耗功率。

ALD810020/ALD910020 的导通电阻的电压相关特性在控制连接的超级电容器两端的过电压上升方面非常有效。在串联的超级电容器组中，当一个超级电容器的电压上升时，其他超级电容器的电压下降，漏电流最大的超级电容器电压最低。连接在这些超级电容器两端的 SAB MOSFET 将呈现互补的反向电流水平，除了超级电容器本身产生的漏电流外，几乎不会产生额外的漏电流。

• 栅源电压(VGS)为 -10V、漏极电流(ID)为 -2.6A 时,导通电阻(RDS(ON))<115mΩ
• 栅源电压(VGS)为 -4.5V、漏极电流(ID)为 -1.7A 时,导通电阻(RDS(ON))<150mΩ
• 先进的沟槽工艺技术
• 专为开关负载、脉宽调制(PWM)应用等特殊设计
• 符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品
• 采用符合 IEC 61249 标准的环保模塑化合物

• 串联超级电容器单元漏电流平衡-能量收集-带超级电容器输出的长期备用电池-选定电压下的零功率分压器-匹配的电流镜和电流源-零功率模式最大电压限制器-扩展的超级电容器组和阵列