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PD20015C

品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: PD20015C
商品编号: C17429347
包装方式: 盒装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

PD20015C是一款共源极N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它专为高增益、宽带商业和工业应用而设计。在共源极模式下,它可在最高2 GHz的频率和13.6 V电压下工作。PD20015C具备意法半导体(ST)最新LDMOS技术所带来的出色增益、线性度和可靠性。PD20015C卓越的线性度性能使其成为移动应用的理想解决方案。

商品特性

出色的热稳定性
共源极配置
在2 GHz/13.6 V条件下,输出功率POUT = 15 W,增益为11 dB
无氧化铍(BeO)封装
静电放电(ESD)保护
符合2002/95/EC欧洲指令

应用领域

电源开关
直流-直流转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	7A
	导通电阻(RDS(on))	310mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	93W
	阈值电压(Vgs(th))	4.2V
	栅极电荷量(Qg)	-

	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	49pF
	反向传输电容(Crss)	1pF
	工作温度	-
	配置	共源
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	35pF