ACPL-W347-060E
1.0-Amp输出电流SiC/GaN MOSFET和IGBT栅极驱动光耦合器
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- 品牌名称
- Broadcom(博通)
- 商品型号
- ACPL-W347-060E
- 商品编号
- C17428460
- 商品封装
- SOIC-6-6.8mm
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 逻辑输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 工作电压 | 1.55V | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV | |
| CMTI(kV/us) | 100kV/us | |
| 传输速率 | - | |
| CTR-电流传输比 | - | |
| 通道数 | 1 | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 传播延迟 tpLH | 110ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpHL | 110ns | |
| 输入阈值电流(FH) | 4mA | |
| 输出电流 | 1A | |
| 耗散功率(Pd) | 550mW | |
| 输出电压 | - | |
| 正向压降(Vf) | 1.55V | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 正向电流(If) | 25mA | |
| 功能特性 | 内置施密特触发器;欠压锁定 |
商品概述
博通的ACPL - P347/W347包含一个AlGaAs LED,它与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于功率转换应用的SiC(碳化硅)/GaN(氮化镓)MOSFET和IGBT。输出级的高工作电压范围可提供栅控设备所需的驱动电压。此光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的SiC/GaN MOSFET和IGBT。
商品特性
- 最大峰值输出电流1.0A
- 宽工作VCC范围:15V至30V
- 最大传播延迟110ns
- 最大传播延迟差50ns
- 轨到轨输出电压
- 在VCM = 1500V时,最小共模抑制(CMR)为100kV/μs
- 带迟滞的LED电流输入
- 最大电源电流ICC = 4.2mA
- 带迟滞的欠压锁定保护(UVLO)
- 工业温度范围:-40°C至+105°C
- 安全认证:
- UL认证,3750V/5000VRMS,持续1分钟
- CSA认证
- IEC/EN/DIN EN 60747 - 5 - 5,VIORM = 891V / 1140Vpeak
应用领域
- SiC/GaN MOSFET和IGBT栅极驱动
- 电机驱动
- 工业逆变器
- 可再生能源逆变器
- 开关电源
- XMLHVW-Q2-0000-0000LT3E5
- RCS2012F34R8CS
- QTM216E-24.000MCM-T
- PCSDR125-1R0M-RC
- UES1106HR2/TR
- SIT8208AI-3F-25E-74.250000T
- XPGWHT-01-R250-00GE5
- SLG4SCBAL-DMO
- 535FC000175DGR
- SCRH5D18-220
- ASEDV-16.000MHZ-LC-T3
- 749196501
- AMPMGFB-25.0000T
- SIT8208AI-GF-28S-33.300000Y
- SG-8018CG 134.0000M-TJHSA0
- SPHWHTL3DA0EF4QTU6
- PA16NP503KAB15
- 750319565
- QSCF500Q0R3B1GV001T
- BU2010-M3/51
- S51810T-19.200-X1-R


