HIP2210EVAL1Z

HIP2210EVAL1Z评估板旨在为评估HIP2210 100V 3A源、4A灌高频半桥驱动器提供一种快速且全面的方法，该驱动器用于在半桥配置中驱动两个N沟道MOSFET的栅极。评估板上包含两个N沟道MOSFET（双焊盘支持TO220和DPAK等多种封装）和一个电感-电容LC滤波器，可用于评估半桥驱动负载，如同步降压开关稳压器。HIP2210半桥驱动器采用10引脚DFN封装（带增强型散热焊盘）。HIP2210EVAL1Z评估板在6V至18V直流电源电压下工作，能够在100V半桥配置IC中驱动高端和低端MOSFET。该评估板还为评估HIP2210 N沟道MOSFET半桥驱动器的功能和应用原型提供了一个全面且通用的平台，可通过PWM引脚信号的占空比控制输出电压，用于评估开环型同步降压DC/DC转换器。

• 3A源和4A灌NMOS栅极驱动器
• 用于高端NFET栅极驱动器的内部电平转换器和自举二极管
• 高达100V的高端自举参考电压
• 6V至18V偏置电源工作
• 快速的典型15ns传播延迟和典型2ns传播延迟匹配，支持高达1MHz的操作

同步降压开关稳压器、开环型同步降压DC/DC转换器