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ADTA114ECAQ-13
ADTA114ECAQ-13
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ADTA114ECAQ-13
- 商品编号
- C17427732
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 310mW | |
| 晶体管类型 | - | |
| 直流电流增益(hFE) | 30 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@10mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | - | |
| 电阻比率 | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品特性
- 外延平面芯片结构
- 内置偏置电阻，R1 = R2
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑的“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证，具备高可靠性
- 可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- R1、R2（标称值）10kΩ
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