DMN3016LDN-13
2个N沟道 电流:9.2A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3016LDN-13
- 商品编号
- C17427649
- 商品封装
- VDFN3030-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.415nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 119pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-直流电机控制-直流-交流逆变器
- RSF1A-510-JTW
- 103960-9
- 103-123F
- 78438356033HT
- MKRAWT-00-0000-0B0HH245H
- SPMWHD32AMD7XAWKS0
- XD16AWT-P0-0000-000000JE5
- SIT8208AI-3F-18S-20.000000X
- 2-292229-8
- 61148-1
- GCM0335C1H240GA16J
- 516-038-000-426
- 681M9W4203L001
- SIT8208AI-8F-33E-35.840000X
- SPMWH12224D7W8TMSA
- S4924-121J
- LRC0402CK7N5GV001T
- SG-8018CG 38.9100M-TJHSA0
- QSCP251Q100G1GV001T
- EKMB1293112
- AFBR-57F5AMZ-HP5-C

