PMV450ENEA215
60 V, N-沟道沟槽MOSFET
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- 描述
- N沟道增强型场效应晶体管，采用Trench MOSFET技术的小型SOT23封装。
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- PMV450ENEA215
- 商品编号
- C17425348
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他接口 | |
| 工作电压 | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
N沟道增强型场效应晶体管(FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装在小型SOT23（TO-236AB）表面贴装塑料封装中。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 极快的开关速度
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电 (ESD) 保护 > 2 kV HBM
- AEC-Q101 认证
应用领域
- 继电器驱动
- 高速线路驱动
- 低端负载开关
- 开关电路
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