- 引脚图
- 焊盘图
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PMV450ENEA215
60 V, N-沟道沟槽MOSFET
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- 描述
- N沟道增强型场效应晶体管，采用Trench MOSFET技术的小型SOT23封装。
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- PMV450ENEA215
- 商品编号
- C17425348
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他接口 | |
| 工作电压 | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 功能特性 | - |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、小尺寸SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管(FET)。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 开关速度极快
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护>2 kV HBM
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路
- B57550G1203H000
- CVCO55BE-0325-0775
- 5145.0031.831
- EGN.1F.665.ZZM
- D38999/26MJ43SNL
- SIT8008BI-11-YYS-33.333000
- 936000433
- SIT1602BC-11-28S-60.000000
- 628-037-220-016
- SIT9365AI-2B3-30E322.265625
- SIT1602BC-72-25E-33.300000
- 1411486
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- 0461-3-15-15-11-14-04-0
- TSS-136-05-G-D-RA
- 09691009019
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