- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTE649G
NTE649G
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- 品牌名称
- NTE Electronics
- 商品型号
- NTE649G
- 商品编号
- C17423527
- 商品封装
- DO-214AC(SMA)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 开关二极管 | |
| 二极管配置 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.19W | |
| 整流电流 | - | |
| 直流反向耐压(Vr) | 400V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 正向压降(Vf) | 1.3V@1A | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | - | |
| 反向电流(Ir) | 5uA@400V | |
| 反向恢复时间(Trr) | 150ns | |
| 工作结温范围 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 最大重复反向电压VRRM：NTE649D为200V，NTE649G为400V，NTE649J为600V，NTE649M为1000V
- 平均整流正向电流IF(AV)（TA = +100°C）
- 非重复峰值正向浪涌电流IFSM（8.3ms单半正弦波）为30A
- 功率耗散PD为1.19W
- 正向电压VF（IF = 1A）为1.3V
- 反向恢复时间trr：NTE649D和NTE649G为150ns，NTE649J为250ns，NTE649M为500ns
- 反向电流IR（在额定VR下）：TA = +25°C时为5μA，TA = +125°C时为50μA
- 总电容CT（VR = 4V，f = 1MHz）
- 工作结温范围TJ为 -55°C至 +150°C
- 存储温度范围Tstg为 -55°C至 +150°C
- 热阻：结到环境RthJA为105°C/W，结到引脚RthJL为32°C/W