BLC9G27XS-380AVTZ

ALD1101是一款单片双N沟道匹配晶体管对，适用于广泛的模拟应用。这些增强型晶体管采用Advanced Linear Devices公司的增强型ACMOS硅栅CMOS工艺制造。 ALD1101具有高输入阻抗和负电流温度系数。该晶体管对经过匹配，可实现最小失调电压和差分热响应，专为+2V至+10V系统中的开关和放大应用而设计，这些应用需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。由于这些是MOSFET器件，它们在低频或接近直流的工作环境中具有非常大（几乎无穷大）的电流增益。与ALD1102配合使用时，可以构建双CMOS模拟开关。此外，ALD1101还可用作差分放大器输入级、传输门和多路复用器应用的基本构建模块。 ALD1101适用于需要非常高电流增益（β）的精密应用，如电流镜和电流源。场效应晶体管的高输入阻抗和高直流电流增益导致通过控制栅极的电流损耗极低。直流电流增益受栅极输入泄漏电流的限制，室温下该泄漏电流规定为50pA。例如，在25°C、漏极电流为5mA时，该器件的直流β值为 = 5mA / 50pA = 100,000,000。

• 出色的耐用性
• 高效率
• 低热阻,提供出色的热稳定性
• 去耦引脚,可改善视频带宽
• 较低的输出电容,提升多尔蒂应用中的性能
• 低记忆效应设计,具备出色的预失真能力
• 内部匹配,使用方便
• 集成ESD保护
• 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令

• 用于2496 MHz至2690 MHz频率范围的W-CDMA基站和多载波应用的射频功率放大器