- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT40GP90JDQ2
APT40GP90JDQ2
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT40GP90JDQ2
- 商品编号
- C17422466
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 284W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 900V | |
| 集电极电流(Ic) | 64A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3.2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.9V@15V,40A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.3nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 325pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 35pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 14ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 90ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | 795uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 240ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低导通损耗
- 安全工作区（SSOA）额定
- 低栅极电荷
- 超快速尾电流关断