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TSM8588CS RLG

1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 电流:2.5A 电流:5A 电流:4A 电流:2A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM8588CS RLG
商品编号: C17418902
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.17191克(g)

商品参数

商品概述

适用于基站应用的160 W LDMOS功率晶体管，工作频率范围为600 MHz至960 MHz。

商品特性

低栅极电荷,实现快速功率开关
100%进行UIS和Rg测试
符合欧盟RoHS指令2011/65/EU,且符合WEEE指令2002/96/EC
根据IEC 61249-2-21标准,无卤素

应用领域

建筑技术
直流风扇
电机驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道+1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	5A
	导通电阻(RDS(on))	220mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	5.7W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	9.4nC@10V；9nC@10V
	输入电容(Ciss)	527pF
	反向传输电容(Crss)	11pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道+P沟道
	输出电容(Coss)	436pF