S27KL0642GABHM020

HyperRAM (自刷新DRAM) 3.0V/1.8V 64Mbit 汽车级E类（1级）

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S27KL0642GABHM020
商品编号: C17416812
商品封装: FBGA-24(6x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.335克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	动态随机存取存储器(DRAM)

	属性	参数值
	功能特性	硬件复位功能；内置自刷新逻辑

商品概述

赛普拉斯64兆比特HyperRAM设备是一款高速CMOS自刷新动态随机存取存储器（DRAM），具备HyperBus接口。DRAM阵列采用动态单元，需要定期刷新。当HyperBus接口主控（主机）未对存储器进行主动读写时，设备内的刷新控制逻辑会管理DRAM阵列的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作，对主机而言，该DRAM阵列就如同使用了无需刷新即可保留数据的静态单元的存储器。因此，该存储器更准确地描述为伪静态随机存取存储器（PSRAM）。由于在读写事务期间无法刷新DRAM单元，因此要求主机限制读写突发传输长度，以便在需要时进行内部逻辑刷新操作。如果存储器表明需要进行刷新操作，主机必须限制事务的持续时间，并在新事务开始时允许额外的初始访问延迟。

商品特性

支持1.8 V/3.0 V接口
单端时钟（CK） - 11条总线信号
可选差分时钟（CK、CK#） - 12条总线信号
双向读写数据选通（RWDS）
片选（CS#）
8位数据总线（DQ[7:0]）
硬件复位（RESET#）
所有事务开始时输出以指示刷新延迟
读事务期间作为读数据选通输出
写事务期间作为写数据掩码输入
可选DDR中心对齐读选通（DCARS）
读事务期间，RWDS偏移第二个时钟，与CK有相移
相移时钟用于在读取数据窗口内移动RWDS转换沿
最高时钟频率200 MHz
DDR - 在时钟的两个边沿传输数据
数据吞吐量高达400 MBps（3200 Mbps）
可配置突发特性
线性突发
回绕突发长度：16字节（8个时钟）、32字节（16个时钟）、64字节（32个时钟）、128字节（64个时钟）
混合选项 - 一个回绕突发后接线性突发
可配置输出驱动强度
电源模式：混合睡眠模式、深度掉电
阵列刷新：部分内存阵列（1/8、1/4、1/2等）、全阵列
封装：24球FBGA
工作温度范围：汽车级，AEC - Q100 1级：-40℃至+125℃
采用38纳米DRAM技术

数据手册PDF

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