商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 390mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品特性
- 低导通电阻:1.2 Ω
- 低阈值:< 1.6V
- 低输入电容:35 pF
- 快速开关速度:9 ns
- 低输入和输出泄漏电流
- 低失调电压
- 低电压运行
- 无需缓冲器即可轻松驱动
- 高速电路
- 低误差电压
应用领域
- 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤击器、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器
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