商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 390mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品特性
- 4 V驱动
- N沟道二合一
- 低导通电阻：Ron = 182 mΩ（最大值）（@VGS = 4 V）
- Ron = 122 mΩ（最大值）（@VGS = 10 V）
应用领域
- 电源管理开关应用-高速开关应用
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