ALD210802PCL
4个N沟道 耐压:10.6V 电流:80mA
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- 品牌名称
- ALD
- 商品型号
- ALD210802PCL
- 商品编号
- C17415708
- 商品封装
- PDIP-16
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 80mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25Ω@5.2V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 200mV@10uA | |
| 输入电容(Ciss) | 15pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
一款采用P沟道DMOS工艺制造的双路大电流P沟道增强型硅MOSFET，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。该MOSFET具有大电流、低rDS(ON)、低阈值电压和低栅极电荷的特点。
商品特性
- 低rDS(ON)（在VGS = 5.0V时，最大83mΩ）
- 大电流（ID = 5.3A）
应用领域
- 负载/电源开关-电源转换电路-电池供电的便携式设备
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