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ALD210802PCL

4个N沟道耐压:10.6V 电流:80mA

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品牌名称: ALD
商品型号: ALD210802PCL
商品编号: C17415708
商品封装: PDIP-16
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

一款采用P沟道DMOS工艺制造的双路大电流P沟道增强型硅MOSFET，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。该MOSFET具有大电流、低rDS(ON)、低阈值电压和低栅极电荷的特点。

商品特性

精确的VGS(th) = +0.20 V ± 0.020 V
VOS(VGS(th)匹配)最大为10 mV
亚阈值电压(微功耗)工作
最小工作电压 < 200mV
最小工作电流 < 1nA
最小工作功率 < 1nW
工作电流范围 > 100,000,000:1
高跨导和输出电导
低RDS(ON)为25Ω
输出电流 >50 mA
匹配和跟踪温度系数
严格的批次间参数控制
正、零和负VGS(th)温度系数
低输入电容和泄漏电流

应用领域

-低开销电流镜和电流源-零功耗常通电路-能量收集探测器-极低电压模拟和数字电路-零功耗故障安全电路-备用电池电路和电源故障探测器-极低电平电压钳位-极低电平过零探测器-匹配的源极跟随器和缓冲器-精密电流镜和电流源-匹配的电容式探头和传感器接口-电荷探测器和电荷积分器-高增益差分放大器输入级-匹配的峰值探测器和电平转换器-多通道采样保持开关-精密电流倍增器-分立匹配模拟开关/多路复用器-微功耗分立电压比较器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	4个N沟道
	漏源电压(Vdss)	-
	连续漏极电流(Id)	80mA
	导通电阻(RDS(on))	25Ω@5.2V
	耗散功率(Pd)	500mW

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	200mV
	输入电容(Ciss)	15pF
	反向传输电容(Crss)	1pF
	工作温度	0℃~+70℃
	类型	N沟道