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CMKT5089M10 TR PBFREE
NPN 25V
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- 描述
- 由两个单独隔离的、具有匹配hFE的5089 NPN硅晶体管组成。该ULTRAmini™器件采用外延平面工艺制造，并采用SOT-363表面贴装封装进行环氧模塑。专为需要高增益和低噪声的应用而设计。
- 品牌名称
- Central(中环)
- 商品型号
- CMKT5089M10 TR PBFREE
- 商品编号
- C17414317
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 50mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 400 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 50MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 4.5V | |
| 数量 | 2个NPN |
商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR的CMKT5089M10由两个相互独立、hFE匹配的5089 NPN硅晶体管组成。这款ULTRAmini™器件采用外延平面工艺制造，采用SOT - 363表面贴装封装进行环氧模塑。CMKT5089M10专为需要高增益和低噪声的应用而设计。
商品特性
- 由两个相互独立、hFE匹配的5089 NPN硅晶体管组成
- 采用外延平面工艺制造
- 采用SOT - 363表面贴装封装
- 适用于高增益和低噪声应用
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