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MSCSM120DUM31CTBL1NG实物图
  • MSCSM120DUM31CTBL1NG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MSCSM120DUM31CTBL1NG

2个N沟道 耐压:1.2kV 电流:79A

商品型号
MSCSM120DUM31CTBL1NG
商品编号
C17413862
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)79A
导通电阻(RDS(on))31mΩ@20V
耗散功率(Pd)310W
阈值电压(Vgs(th))-
属性参数值
栅极电荷量(Qg)232nC@20V
输入电容(Ciss)3.02nF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-55℃~+175℃
配置共源
类型-
输出电容(Coss)270pF

商品特性

-SiC功率MOSFET-低导通电阻RDS(ON)-高速开关-SiC肖特基二极管-零反向恢复-零正向恢复-开关特性与温度无关-正向电压VF具有正温度系数-超轻重量和超薄外形-开尔文源极,便于驱动-采用厚铜Si3N4基板,提升热性能-内置热敏电阻,用于温度监测-宽温度范围

应用领域

-高可靠性电源系统-交流开关

数据手册PDF