SID1102K-TL
SID1102K-TL
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- 商品型号
- SID1102K-TL
- 商品编号
- C17413321
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边;半桥;高边 | |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 5A | |
| 拉电流(IOH) | 5A | |
| 工作电压 | - | |
| 上升时间(tr) | 29ns | |
| 下降时间(tf) | 14ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 功能特性 | 充电泵升压 |
商品概述
SID1102K是一款采用eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET栅极驱动器。Power Integrations公司的革命性固体绝缘体FluxLink技术提供了加强型电流隔离。高达5A的峰值输出驱动电流使该产品能够驱动额定电流高达300A的器件。对于超出SID1102K独立能力的栅极驱动要求,额外的AUXGL和AUXGH输出引脚可以驱动外部n沟道MOSFET作为升压级,让客户能够完全自由地控制其系统设计。控制器(PWM)信号与5V CMOS逻辑兼容,也可通过使用外部电阻分压器调整到15V电平。
商品特性
- 单通道可提供高达5A的峰值栅极驱动电流
- 辅助输出用于外部升压级,以增加峰值驱动电流
- 集成FluxLink技术,在初级侧和次级侧之间提供安全隔离
- 轨到轨稳定输出电压
- 次级侧采用单极性电源电压
- 适用于600V / 650V / 1200V的IGBT和MOSFET开关
- 高达75kHz的开关频率
- 传播延迟抖动为±5ns
- 工作环境温度范围为 -40°C至125°C
- 高共模瞬态抗扰度
- eSOP封装,爬电距离和电气间隙为9.5mm
- 初级和次级侧欠压锁定保护(UVLO)
- 100%生产局部放电测试
- 100%生产6kV RMS 1s耐压合规测试
- 加强绝缘符合VDE V 0884 - 10标准
- 无卤且符合RoHS标准
应用领域
- 通用和伺服驱动器
- UPS
- 太阳能
- 焊接逆变器
- 电源
- 1-487769-3
- 641119-2
- ZST-105-04-T-D-840
- STW8Q14BE-U0D2A1
- 536BC106M250DG
- MOI-AL202C-YX3SE
- 638-M26-630-BN3
- 3-644284-8
- BPCA000707454R7T00
- SIT8208AI-8F-25E-33.333330X
- SIT8208AC-83-33S-25.000625
- SCM151100
- ONS-XC-10G-S1-C
- S3A33030-156.250-P-X-R
- 0349671002
- TST-108-01-G-S-05
- LRC0201BK3N9GV001T
- 0194320008
- 570FBA001755DG
- 1301420045
- SK-160G2

