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SID1102K-TL引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SID1102K-TL

SID1102K-TL

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商品型号
SID1102K-TL
商品编号
C17413321
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边;半桥;高边
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数1
灌电流(IOL)5A
拉电流(IOH)5A
工作电压-
上升时间(tr)29ns
下降时间(tf)14ns
属性参数值
传播延迟 tpLH-
传播延迟 tpHL-
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)-
输入低电平(VIL)-
静态电流(Iq)-
功能特性充电泵升压

商品概述

SID1102K是一款采用eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET栅极驱动器。Power Integrations公司的革命性固体绝缘体FluxLink技术提供了加强型电流隔离。高达5A的峰值输出驱动电流使该产品能够驱动额定电流高达300A的器件。对于超出SID1102K独立能力的栅极驱动要求,额外的AUXGL和AUXGH输出引脚可以驱动外部n沟道MOSFET作为升压级,让客户能够完全自由地控制其系统设计。控制器(PWM)信号与5V CMOS逻辑兼容,也可通过使用外部电阻分压器调整到15V电平。

商品特性

  • 单通道可提供高达5A的峰值栅极驱动电流
  • 辅助输出用于外部升压级,以增加峰值驱动电流
  • 集成FluxLink技术,在初级侧和次级侧之间提供安全隔离
  • 轨到轨稳定输出电压
  • 次级侧采用单极性电源电压
  • 适用于600V / 650V / 1200V的IGBT和MOSFET开关
  • 高达75kHz的开关频率
  • 传播延迟抖动为±5ns
  • 工作环境温度范围为 -40°C至125°C
  • 高共模瞬态抗扰度
  • eSOP封装,爬电距离和电气间隙为9.5mm
  • 初级和次级侧欠压锁定保护(UVLO)
  • 100%生产局部放电测试
  • 100%生产6kV RMS 1s耐压合规测试
  • 加强绝缘符合VDE V 0884 - 10标准
  • 无卤且符合RoHS标准

应用领域

  • 通用和伺服驱动器
  • UPS
  • 太阳能
  • 焊接逆变器
  • 电源

数据手册PDF