- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V；125V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A；18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V；200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V；4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 480pF；480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF；14pF | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF；190pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V；±20V |
商品概述
双推挽硅N沟道增强型垂直D-MOS晶体管,采用带两个陶瓷帽的4引脚SOT262A1平衡法兰封装。安装法兰为晶体管提供公共源极连接。
商品特性
- 高功率增益
- 易于功率控制
- 良好的热稳定性
- 镀金金属化确保出色的可靠性。
应用领域
- VHF频段的广播发射机。
- D12K250E
- SIT8208AI-8F-28E-19.200000Y
- 0740991014
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- 334-90-144-00-020000
- 0627-0-15-15-21-14-10-0
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