- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
QS5Y1TR
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 200 | |
| 特征频率(fT) | 300MHz；270MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV | |
| 工作温度 | - |
商品概述
中功率晶体管 (±30V / ±3A) QS5Y1 是 PNP/NPN 硅外延平面晶体管。
商品特性
- 低饱和电压，典型值：
- VCE(sat)（最大值）= -0.40V（IC/IB = -1A / -50mA）
- VCE(sat)（最大值）= 0.40V（IC/IB = 1A / 50mA）
- 高速开关
应用领域
低频放大器、驱动器
- MZ2Q-CSSPSKP0
- TST-117-05-S-D-RA
- L128-2790EC3500004
- TFM-104-01-L-D-A-K
- 638-044-330-046
- 180-10-640-00-001101
- 600H005-23PU
- 4-1106203-5
- MCO25-16IO1
- SIT1602BC-13-XXN-33.333300
- SIT8208AC-22-33E-33.333330
- 638E16113I2T
- 662-037-664-04C
- RCS1005F8661CS
- 629-47W1250-2N1
- QEDB201Q221G1GV001E
- STMM-125-02-S-D-RA
- NT06223F3350B1H
- MLX75026RTH-AAA-200-TR
- SIT1602BI-83-XXN-26.000000
- 660-012M15D4-03