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SSM6P35AFU,LF

2个P沟道耐压:20V 电流:250mA

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品牌名称: TOSHIBA(东芝)
商品型号: SSM6P35AFU,LF
商品编号: C17407752
商品封装: TSSOP-6(SC-88)SOT-363
包装方式: 编带
商品毛重: 0.03克(g)

商品参数

商品概述

MwT-PH15F是一款AlGaAs/InGaAs pHEMT（赝配高电子迁移率晶体管）器件，其标称栅长为0.25微米，栅宽为630微米，非常适合需要高增益和中功率、频率高达28 GHz的应用。该器件在宽带（如6至18 GHz）或窄带应用中同样有效。该芯片采用可靠的金属系统制造，并经过钝化处理，以确保出色的可靠性。

商品特性

在18 GHz时典型输出功率为28.5 dBm
在18 GHz时典型小信号增益为12 dB
在18 GHz时典型功率附加效率为45%
0.25 x 630微米难熔金属/金栅极
在功率、增益和高功率附加效率方面表现出色

应用领域

商业应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	-
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	250mA
	导通电阻(RDS(on))	20Ω@1.2V
	耗散功率(Pd)	600mW
	阈值电压(Vgs(th))	1V@100uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	42pF
	反向传输电容(Crss)	2pF
	工作温度	-
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	6pF