商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 30mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 300 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
本规格涵盖了作为一个双单元的两个电气隔离、匹配的NPN硅晶体管的性能要求。为每种器件类型提供了MIL - PRF - 19500中规定的四个级别的产品保证，为芯片提供了两个级别的产品保证。RHA级别标识“M”、“D”、“P”、“L”、“R”、“F”、“G”和“H”附加到器件前缀以识别通过RHA要求的器件。除非另有规定，温度TC = +25°C。对于TA > +25°C和TC > +25°C有不同的降额规定。
商品特性
- 提供四个级别的产品保证
- 为芯片提供两个级别的产品保证
- 可通过RHA级别标识识别通过RHA要求的器件
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