- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STGWA40HP65FB
STGWA40HP65FB
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGWA40HP65FB
- 商品编号
- C17406444
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 283W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 5.412nF | |
| 输出电容(Coes) | 198pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 107pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 142ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | 363uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 140ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是新型HB系列IGBT的一部分，该系列代表了导通损耗和开关损耗之间的最佳折衷，以最大限度提高任何变频器的效率。此外，略微正的VCE(sat)温度系数和非常紧密的参数分布使得并联运行更加安全。
商品特性
- 最高结温：TJ = 175 ~ °C
- 高速开关系列
- 最小化尾电流
- 低饱和电压：VCE(sat) = 1.6 V（典型值）@ IC = 40 A
- 紧密的参数分布
- 安全并联
- 正的VCE(sat)温度系数
- 低热阻
- 共封装保护二极管
应用领域
功率因数校正（PFC）
- SIT8208AI-81-33E-50.331648
- SIT8009AC-13-18E-125.000000
- SIT1602BC-83-XXN-66.666600
- 09694009288
- SI7223DN-T1-GE3
- MS3437B79A
- JE2835AWT-00-0000-000A0HG965E
- HPC 4012BMV-100M
- 8857-1-15-80-32-14-04-0
- ECS-3525-640-B-TR
- MX6AWT-A1-0000-000AB4
- 3QHM53D0.5-33.3333
- 09140009936
- IPL1-105-02-F-S-K
- SG-8018CB 28.9350M-TJHSA0
- SG-8018CB 15.6240M-TJHSA0
- MX6AWT-A1-0000-000CB4
- 690357102472
- FR303GP-TP
- 1663297
- L128-3590EC3500003