商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 140ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是新型HB系列IGBT的一部分，该系列代表了导通损耗和开关损耗之间的最佳折衷，以最大限度提高任何变频器的效率。此外，略微正的VCE(sat)温度系数和非常紧密的参数分布使得并联运行更加安全。
商品特性
- 最高结温：TJ = 175 ~ °C
- 高速开关系列
- 最小化尾电流
- 低饱和电压：VCE(sat) = 1.6 V（典型值）@ IC = 40 A
- 紧密的参数分布
- 安全并联
- 正的VCE(sat)温度系数
- 低热阻
- 共封装保护二极管
应用领域
功率因数校正（PFC）
- SIT8208AI-81-33E-50.331648
- SIT8009AC-13-18E-125.000000
- SIT1602BC-83-XXN-66.666600
- 09694009288
- SI7223DN-T1-GE3
- MS3437B79A
- JE2835AWT-00-0000-000A0HG965E
- HPC 4012BMV-100M
- 8857-1-15-80-32-14-04-0
- ECS-3525-640-B-TR
- MX6AWT-A1-0000-000AB4
- 3QHM53D0.5-33.3333
- 09140009936
- 661-009-264-047
- IPL1-105-02-F-S-K
- SG-8018CB 28.9350M-TJHSA0
- SG-8018CB 15.6240M-TJHSA0
- ADP3186JRQZ-RL
- 630-M37-240-BT1
- 5-583294-2
- MX6AWT-A1-0000-000CB4