商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 2.5kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 23A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.1V@15V,20A | |
| 输入电容(Cies) | 1.19nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 直接铜键合（DCB）基板上的硅芯片
- 隔离安装表面
- 4000V~电气隔离
- 高峰值电流能力
- 低饱和电压
- 模塑环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级
- 高功率密度
- 易于安装
应用领域
- 电容器放电
- 脉冲电路
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