AOSD21311C
2个P沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOSD21311C
- 商品编号
- C17401386
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@4.5V,4.1A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
-最新先进沟槽技术-低漏源导通电阻(RDS(ON))-高电流承载能力-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 最新先进沟槽技术
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 高电流承载能力
- 符合RoHS标准且无卤
- 100%进行UIS测试
- 100%进行Rg测试
应用领域
-笔记本电脑交流输入负载开关-电池保护充放电
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