商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
- 最新先进沟槽技术
- 低RDS(ON)
- 高电流承载能力
- 符合 RoHS 标准且无卤
商品特性
- 最新先进沟槽技术
- 低RDS(ON)
- 高电流承载能力
- 符合 RoHS 标准且无卤
- 100% 进行 UIS 测试
- 100% 进行 Rg 测试
应用领域
-笔记本电脑交流输入负载开关-电池保护充放电
- SG-8018CB 15.437823M-TJHPA0
- SG-8018CG 152.5200M-TJHPA0
- SIT1602BC-32-33E-10.000000
- CMB1510-0000-000N0U0A35H
- GCM216R71H103MA37J
- DS90UB924-Q1EVM
- 306-240-318
- GP55-5362-FBW
- SIT1602BIT13-25E-25.000000
- 030-1952-000
- FN375-4-..
- DD15S2S50T2X/AA
- SIT8208AI-82-33S-12.288000
- 660-082-ZNUU702-4
- BZM27/Z0000/63B
- RT055AS33R0KB
- SIT8209AC-32-33S-156.253906
- 5962-0822702HYC
- 3750BP14A0900001T
- TLE9274QXXUMA2
- 3061-0-19-80-21-84-10-0
