NTE224
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 10W | |
| 直流电流增益(hFE) | 10 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 4V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
NTE224硅NPN晶体管，适用于CB，最终射频功率输出P₀ = 4W，频率为50MHz。
商品特性
- 绝对最大额定值：除非另有说明，环境温度TA = +25°C
- 集电极 - 基极电压VCBO为60V
- 集电极 - 发射极电压（RBE = 10Ω时）VCER为60V
- 发射极 - 基极电压VEBO为4V
- 集电极电流IC：连续2A，峰值4A
- 发射极电流IE：连续 - 2A，峰值 - 4A
- 集电极功耗（TC = +25°C时）PC为10W
- 结温TJ为 + 175°C
- 存储温度范围Tstg为 - 65°C至 + 175°C
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