商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 179A | |
| 耗散功率(Pd) | 843W |
商品概述
MSCSM170HM12CAG器件是一款1700 V/179 A全桥碳化硅(SiC)功率模块。除非另有说明,所有额定值均在结温TJ = 25~°C条件下给出。该器件对静电放电敏感,必须遵循正确的处理程序。
商品特性
- SiC功率MOSFET:低导通电阻(RDS(on)),高温性能良好
- SiC肖特基二极管:零反向恢复,零正向恢复,开关特性与温度无关,正向电压(VF)具有正温度系数
- 开尔文源极,便于驱动
- 低杂散电感
- M5功率连接器
- 氮化铝(AlN)基板,改善热性能
应用领域
焊接转换器、开关模式电源、不间断电源、电动汽车电机和牵引驱动
- 25QHM53C1.0-27.500
- 660-024N09S2-01
- SG-8018CE 165.2415M-TJHPA0
- GA3K3A1A
- TFM-105-22-S-D-A-P
- 626-009-262-035
- SIT8208AC-82-28E-74.175824
- 9553-0-15-15-11-27-04-0
- SG-8018CA 133.3000M-TJHSA0
- 334-40-108-00-020000
- SIT8209AC-82-18E-148.351648
- SIT1602BC-81-30N-20.000000
- SBH51-LPSE-D45-SP-BK
- SG-8018CA 36.3000M-TJHPA0
- ECS-2520MVLC-080-CN-TR
- SG-210STF 33.3300MY
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