2N3819
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 8V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 20mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 8pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
商品概述
2N3819是一款N沟道射频放大器晶体管，专为工作频率高达450MHz的射频放大器和混频器应用而设计，也适用于需要低电容的模拟开关。
- 180-M62-213R911
- CTCDRH2D09F-1R5N
- 628-2WK2224-7T3
- SIT8209AI-21-18E-157.286400
- 2-2338245-5
- XEGAWT-H2-0000-000-00000UT540G
- 0936070029
- SIT8008AI-72-18E-37.125000
- DF19-20P-1V(52)
- TT251N16KOF
- SG-8018CB 6.005280M-TJHPA0
- 516-056-542-142
- CVCO55CC-3271-3503
- MX6AWT-A1-R250-000BB2
- 25QHM572C0.5-16.670
- SIT1602BC-23-18E-4.096000
- XTEAWT-02-0000-00000BE53
- 15916059
- 598PAC002178DG
- MDM-51PCBRPTL57
- SIT1602BI-33-XXE-4.000000