商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | NPN |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA |
商品特性
- 采用EMT、UMT或SMT封装的两个DTC114T芯片。
- 安装成本和面积可减半。
应用领域
- 逆变器
- 接口
- 驱动器