- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
EMG4T2R
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | NPN |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA |
商品特性
- 采用EMT、UMT或SMT封装的两个DTC114T芯片。
- 安装成本和面积可减半。
应用领域
- 逆变器
- 接口
- 驱动器
- 370-10-108-00-001101
- SPMWH1228FD5WAWMSG
- SIT8208AI-81-33E-62.500000
- 687-685-4
- A-HDF 26 AA-WP
- 1852341
- 2-1969584-2
- 125-201-JTW
- SIT1602BC-32-30N-24.576000
- 0022122106
- EA-TD081-5-24
- 591MB10M0000DGR
- 0370-0-19-01-07-14-10-0
- 0194290045
- CM4440Z111R-10
- SIT1602BC-31-25E-38.000000
- 512FCA000442CAG
- XD16AWT-P0-0000-00000BJDT
- HFX22S00
- SIT1602BI-22-XXN-40.500000
- 436500305