商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 灌电流(IOL) | 2.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 下降时间(tf) | 55ns | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ |
商品概述
FOD3180是一款输出电流为2A的高速MOSFET栅极驱动光耦合器。它由一个砷化铝镓(AlGaAs)发光二极管和一个CMOS探测器光耦合而成,该探测器集成了PMOS和NMOS输出功率晶体管集成电路功率级。它非常适合用于等离子显示屏(PDP)、电机控制逆变器应用和高性能DC/DC转换器中的功率MOSFET高频驱动。 该器件采用8引脚双列直插式封装,兼容260℃回流焊工艺,符合无铅焊接要求。
商品特性
- 保证工作温度范围为 -40℃至 +100℃
- 最小峰值输出电流为2A
- 高速响应:在整个温度范围内最大传播延迟为200ns
- 最大开关速度为250kHz
- 典型脉冲宽度失真为30ns
- 宽VCC工作范围:10V至20V
- 5000Vrms,1分钟隔离
- 带迟滞功能的欠压锁定保护(UVLO)
- 最小爬电距离为7.0mm
- 最小电气间隙为7.0mm
- 通过C-UL、UL和VDE认证
- 典型RDS(ON)为1.5Ω,功耗更低
- 最小共模抑制比为15kV/|s
- 这些是无铅器件
应用领域
- 等离子显示屏
- 高性能DC/DC转换器
- 高性能开关模式电源
- 高性能不间断电源
- 隔离式功率MOSFET栅极驱动
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