商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 1.5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
- APTGT200DH120G
- 0015477638
- 125SH-D-08-TR-SMT-T/R
- NTE6407
- S-816A46AMC-BAVT2G
- 4-643814-7
- 6-102618-2
- TSM75-H00HM33RN-29.440M
- DMC-MD 26 N
- SER2918H-223KL
- SIT8009AC-22-25E-125.000000
- 627W3W3-324-2N5
- 3QHM53C0.125-66.500
- 354095-E
- MAX2245EBL
- SIT1602BC-73-25S-37.500000
- SIT9365AI-4B1-33N100.000000
- OT8ED8K5JI-111YXC-125M
- AT4547
- SIT9365AI-1B3-30E166.666666
- NTE3095