- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 15V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 4.5V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
这款RHA级高速NPN开关晶体管2N2369A采用UA封装，非常适合驱动众多高可靠性应用。该器件按照JANSR性能水平进行制造和筛选，对所有管芯批次均采用辐射测试方法1019进行晶圆批次验收。完全符合戈达德太空飞行中心（GSFC）EEE-INST-002标准对项目的可靠性、筛选和抗辐射保证要求。
商品特性
- JEDEC注册型号2N2369A
- 按照MIL-PRF-19500标准进行总电离剂量（TID）水平筛选
- 也可提供0.01拉德（秒）/秒的低剂量率辐射效应（ELDRS）测试
- 提供MKCR/MHCR芯片管芯
- 通过0.1拉德（硅）/秒剂量率的低剂量率辐射效应（ELDR）测试进行逐批抗辐射保证（RHA）验证
应用领域
- 抗辐射电源
- 抗辐射电机控制
- 通用开关
- 仪表放大器
- 卫星电源系统（EPS）开关电源应用
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