NP30N06QDK-E1-AY
NP30N06QDK-E1-AY
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP30N06QDK-E1-AY
- 商品编号
- C17396714
- 商品封装
- HSON-8(5x5.4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品概述
一款70 W LDMOS射频功率晶体管，适用于广播发射机、通信和工业应用。该晶体管适用于高频至1300 MHz的频率范围。该器件出色的耐用性和宽带性能使其非常适合数字应用。
商品特性
- 极低导通电阻
- RDS(on)1 最大为 14 mΩ(VGS = 10 V,ID = 15 A)
- RDS(on)2 最大为 21 mΩ(VGS = 4.5 V,ID = 7.5 A)
- 低输入电容:典型输入电容 Ciss 为 1500 pF(VDS = 25 V)
- 专为汽车应用设计,符合 AEC-Q101 标准
- 采用小型 8 引脚双 HSON 封装
应用领域
-汽车领域
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