- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTE5427
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 200V | |
| 通态电流(It) | 7A | |
| 通态峰值电压(Vtm) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电流(Igt) | 25mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 1.5V | |
| 保持电流(Ih) | 50mA | |
| 工作温度 | -40℃~+110℃ |
商品特性
- 重复峰值反向电压（Tc = +110°C），VRRM：NTE5427为200V，NTE5428为400V，NTE5429为600V
- 重复峰值断态电压（Tc = +110°C），VDRM：NTE5427为200V，NTE5428为400V，NTE5429为600V
- 均方根通态电流（Tc = +80°C，导通角为180°），IT(RMS)为7A
- 峰值浪涌（非重复）通态电流（50或60Hz下一个周期），ITSM为80A
- 峰值门极触发电流（3μs最大），IGTM为1A
- 峰值门极功率耗散（IGT ≤ IGTM），PGM为20W
- 平均门极功率耗散，PG(AV)为500mW
- 工作温度范围，Topr为 -40°C至 +110°C
- 储存温度范围，TStg为 -40°C至 +150°C
- 典型热阻，结到外壳，RthJC为2.5°C/W
- SPCM-800-50-BR1
- 656L62204I2T
- TSIC 306 SOP-8
- H190C-3
- AX7DAF1-933.1200
- SIT1602BCF11-XXE-27.000000
- ES3G-M3/9AT
- ZSS-115-04-L-D-832
- UMFT201XB-01
- ES1FL RUG
- SSA500AA80
- SIT9365AI-1B3-28N122.880000
- M22FP-ASB02-E30-Y
- DEMM9PLF225
- SIT8208AI-23-28S-38.400000
- 813874-B21-C
- RT8205LZQW
- 25QHM53D2.0-24.576
- PE783006
- MS27511A22A
- SG-8018CG 145.5000M-TJHSA0