商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 218.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
- 0936000028
- 660-004B32F8-80
- SG-8018CE 3.1250M-TJHSA0
- SIT8209AC-83-18E-166.660000
- 1N4004T/R
- SIT1602BC-82-25E-66.666600
- TFML-150-02-L-D-A
- D38999/20FJ61SB-LC
- SG-8018CA 156.2680M-TJHPA0
- 3QHM53D3.0-32.768
- 09653625811
- IEC-J-4-150
- XTEARY-02-0000-000000P08
- SIT8209AI-22-25S-106.250000
- SI8284CC-ISR
- TFM-115-23-S-D
- SG-8018CE 12.4200M-TJHSA0
- 09370009944
- KS DMLQ31.23-GZJX-D1-J3T3-350-R18
- 175-8R2-JTW
- LEDS2M-460-01