商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 39pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.84pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 集成静电放电保护
- 出色的耐用性
- 高功率增益
- 高效率
- 出色的可靠性
- 易于进行功率控制
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
- 高频至1300 MHz频率范围内的通信发射机应用
- 高频至1300 MHz频率范围内的工业应用
- 广播发射机