商品参数
参数完善中
商品特性
- 四个对称的50Ω吸收端口
- 高隔离度
- 3 GHz时为45 dB
- 6 GHz时为39 dB
- 8 GHz时为31 dB
- 低插入损耗
- 3 GHz时为0.8 dB
- 6 GHz时为1.0 dB
- 8 GHz时为1.2 dB
- 高线性度
- 8 GHz时IIP3为58 dBm
- 8 GHz时IIP2为110 dBm
- 兼容1.8V控制逻辑
- ESD性能
- 所有引脚上的HBM为2 kV
- 所有引脚上的MM为100V
- 所有引脚上的CDM为1 kV
- 如果RF端口上有0 VDC，则不需要外部隔直电容
- 芯片上CMOS解码逻辑便于使用两针低压CMOS控制接口
- pSemi的HaRP技术增强功能提供高线性度和出色的谐波性能
- UltraCMOS工艺，兼具GaAs的性能和传统CMOS的经济性和集成度
- 最大切换速率为25 kHz
- 湿度敏感等级为MSL3
- 典型杂散性能为-159 dBm/Hz
应用领域
- 无线基础设施
- 宽带
- 无线连接
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