SI4932DY-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4932DY-T1-GE3
- 商品编号
- C17391960
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 265pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤产品
- 沟道型场效应功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 100%进行非钳位感性负载(UIS)测试
应用领域
-直流-直流转换-负载开关
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