商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 600V | |
| 通态电流(It) | 756A | |
| 通态峰值电压(Vtm) | 1.88V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电流(Igt) | 200mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 3V | |
| 保持电流(Ih) | 600mA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品特性
- 除非另有说明，Ti = 125°C。
- 所需的tq（在dVdr/dt = 200V/μs时规定）在器件型号中用‘#’表示。有关tq代码的详细信息，请参阅订购信息。
- 对于Tj低于25°C，该器件的阻断电压降额系数为0.13%/°C。
- 非重复导通时，导通状态电流的最大未触发上升率在任何时候都不得超过1500A/μs。对于重复性能，导通状态电流的上升率在导通期间的任何时候都不得超过1000A/μs。
- 这些额定值是针对正向电流上升率为100和500A/μs的负载组件给出的。
- 100%占空比在所有额定值中用一条直线表示。其他占空比可以与第一条平行。
- 最大工作频率由导通状态占空比、晶闸管关断所需时间(tq)和关断状态电压达到全值所需时间(tν)决定，即fmax = 1 / (tpulse + tq + tν)。
- 这些曲线能够快速估算在频率额定值未涵盖的条件下器件的功耗。
- Qra基于50%的Irm弦，Qrr基于100μs的积分时间。
- 反向恢复损耗可通过测量或估算来确定。
- 该晶闸管具有低反向恢复电荷和峰值反向恢复电流。