温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他模块 | |
| 类型 | 接口 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
本文档介绍了多点低压差分信号（M-LVDS）评估模块（EVM），该模块用于帮助设计人员开发和分析这种信号技术。德州仪器的SN65MLVD200B、SN65MLVD201、SN65MLVD202B、SN65MLVD203B、SN65MLVD204B、SN65MLVD205B、SN65MLVD206和SN65MLVD207系列是符合M-LVDS标准（TIA/EIA - 899）的低压差分线路驱动器和接收器。EVM套件包含组装好的印刷电路板以及已安装的SN65MLVD203B和SN65MVD204BRUM。表1中提到的其他已发布器件可由EVM支持，但需要单独订购和安装。使用EVM评估这些器件有助于深入了解低压差分电路的设计。EVM板允许设计人员将输入连接到一个或两个驱动器，并配置点对点、多点或多点数据总线。EVM可用于评估器件参数，同时为高频电路板布局提供指导。该板允许连接不同长度的100Ω受控阻抗电缆，为设计人员提供了评估和成功设计最终产品的工具。
商品特性
- EVM配备表1中的所有量产器件，电路板上安装了采用RUM封装的SN65MLVD203B和SN65MLVD204B。
- 其他用此EVM评估的M - LVDS器件采用SN75ALS180和SN75176封装，使用这些行业标准封装可让设计人员轻松将部件配置为单工或半双工数据总线。
- M - LVDS器件均符合TIA/EIA - 899 M - LVDS标准，虽最初用于半双工或多点应用，但也可用于点对点或多点配置，M - LVDS驱动器提供的额外电流驱动具有明显优势。
- M - LVDS器件都包含输出压摆率受限的驱动器，M - LVDS标准建议过渡时间不超过单位间隔（UI）的0.5倍，过渡时间（tr和tf）定义为图1所示的10%至90%电平。
- EVM设计为在电路板的一半有单独的驱动器和接收器部分（U1），另一半有收发器部分（U3）采用RUM封装，U2和U4默认未安装。
- EVM在每个驱动器输出、接收器输入和收发器I/O处都有一个100Ω终端电阻，还可根据需要安装额外的100Ω终端电阻。
- 由于输出端串联了453Ω电阻，在SMA连接器处测量时，每个接收器输出值为实际值的十分之一，该电阻作为50Ω负载终端的电流限制。
- 包含跳线，可让EVM的两个部分共享相同的电源和地，或使用独立电源，移除跳线并使用独立电源可引入地偏移或共模偏移。