SLG59H1120V-EVB

SLG59H1120V是一款高性能、自供电的18 mΩ NMOS负载开关，专为所有4.5 V至12 V、高达5 A的电源轨而设计。采用专有MOSFET设计，SLG59H1120V在较宽的输入电压范围内实现了稳定的18 mΩ导通电阻（RDS(ON)）。通过结合新颖的FET设计和铜柱互连，SLG59H1120V封装在大电流工作时也表现出低热阻。该器件设计工作温度范围为 -40°C至85°C，采用低散热、符合RoHS标准的1.6 x 3.0 mm STQFN封装。

• 宽工作输入电压：4.5 V至13.2 V
• 最大连续电流：5 A
• 自动nFET安全工作区（SOA）保护
• 5 W SOA保护阈值
• 高性能MOSFET开关，低导通电阻（RDS(ON)）：在VIN = 12 V时为18 mΩ
• 低导通电阻变化率（ΔRDS(ON)/ΔVIN）：< 0.05 mΩ/V
• 低导通电阻温度系数（ΔRDS(ON)/ΔT）：< 0.06 mΩ/°C
• 3级、引脚可选的VIN过压锁定
• 电容可调的浪涌电流控制
• 两级电流限制保护：电阻可调的有源电流限制和内部短路电流限制
• 开漏故障信号
• MOSFET电流模拟输出监测：10 μA/A
• 快速4 kΩ输出放电
• 无铅/无卤/符合RoHS标准的封装

企业计算和电信设备5 V和12 V负载点电源分配、PCI/PCIe适配卡、通用高压电源轨开关、多功能打印机、风扇电机控制