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PSMN4R8-100BSE,118
PSMN4R8-100BSE,118
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN4R8-100BSE,118
- 商品编号
- C17389012
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 405W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 278nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 643pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 910pF |
商品概述
采用D2PAK封装的标准电平N沟道MOSFET，可在175°C环境下工作。与最新的“热插拔”控制器互补——具备足够的鲁棒性，能够承受开启时的大量浪涌电流，同时具有低RDS(on)特性，可在持续使用中降低温度并提高效率。非常适合基于48V背板/电源轨的电信系统。
商品特性
- 增强正向偏置安全工作区,实现卓越的线性模式操作
- 极低的RDS(on),降低传导损耗
应用领域
- 电子保险丝
- 热插拔
- 负载开关
- 软启动
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