NTE5643
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 600V | |
| 通态电流(It) | 2.5A | |
| 门极触发电流(Igt) | 25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电压(Vgt) | 2.2V | |
| 保持电流(Ih) | 15mA | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ |
商品特性
- 重复峰值断态电压（门极开路，TJ = +100°C）：NTE5640为100V，NTE5641为200V，NTE5642为400V，NTE5643为600V
- 均方根导通电流（TC = +75°C，导通角360°）：2.5A
- 峰值浪涌（非重复）导通电流（50Hz或60Hz下一个周期）：30A
- 峰值门极触发电流（3μs最大值）：1A
- 峰值门极功率耗散（IGT ≤ IGTM，3μs最大值）：20W
- 平均门极功率耗散：200mW
- 熔断电流（用于双向可控硅保护，T = 1.25至10ms）：3A²s
- 工作温度范围：-40°C至+100°C
- 储存温度范围：-40°C至+150°C
- 典型热阻，结到外壳：4°C/W
- HPC 5020NV-220M
- XFP236161.132812I
- SIT9365AI-1B2-30E106.250000
- 663-037-664-059
- M6P-BAS1-110R
- ATM15-2P-BM02
- 629-17W2250-4TC
- WG48-1-RM-N-RD-B
- M83513/03-A14C
- SIT1602BC-82-XXN-27.000000
- GCM1885C1H301GA16D
- 941-004M14-35S
- 3990251824
- 628-5W5-224-7T5
- 25QHM53C0.125-42.53976
- BLU1206-5361-BT25W
- CVCO55CL-0060-0110
- SG5032EAN 161.132800M-KJGAB
- M252515FV
- 890-945
- SIT8208AI-GF-18E-6.000000X