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BSZ0910LSATMA1
1个N沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 特性：针对充电器和适配器进行优化（如USB-PD、无线充电）。 集成单片肖特基式二极管。 极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V。 卓越的热阻。 N沟道。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ0910LSATMA1
- 商品编号
- C17387216
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.282058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
商品特性
- 针对充电器和适配器（如USB-PD、无线充电）进行优化
- 集成单片类肖特基二极管
- 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的热阻性能
- N沟道
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
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